GE IS200EHPAG1DAB ẹnu polusi ampilifaya
Alaye gbogbogbo
Ṣe iṣelọpọ | GE |
Nkan No | IS200EHPAG1DAB |
Ìwé nọmba | IS200EHPAG1DAB |
jara | Samisi VI |
Ipilẹṣẹ | Orilẹ Amẹrika (AMẸRIKA) |
Iwọn | 180*180*30(mm) |
Iwọn | 0,8 kg |
Nọmba owo idiyele kọsitọmu | 85389091 |
Iru | Gate Polusi ampilifaya |
Alaye alaye
GE IS200EHPAG1DAB Gate Polusi ampilifaya
IS200EHPAG1DAB jẹ apakan ti GE EX21000 jara Gate Pulse Amplifiers. IS200EHPAG1DAB ọkọ (fun 100mm awọn ọna šiše) atọkun Iṣakoso tothe Power Bridge. IS200EHPAG1DAB gba awọn aṣẹ ẹnu-ọna lati ọdọ igbimọ ESEL ninu oludari, ati pe o ṣe agbekalẹ awọn isunmi ẹnu-ọna fun SCR mẹfa (Silicon ControlledRectifiers). O tun jẹ wiwo fun awọn esi adaṣe lọwọlọwọ, ati ṣiṣan bridgeair ati ibojuwo iwọn otutu.
A lo RTD lati ṣe atẹle iwọn otutu afara ati ṣe ina awọn itaniji. Awọn sensọ afikun ṣiṣẹ nipasẹ olutẹtisi iyipo afẹfẹ afẹfẹ itutu agbaiye kọja afara naa. Lori awọn iṣakoso anexciter nikan retrofit, exciter le ni awọn ipese fun gbigba esi lati awọn iyipada gbona meji ti a gbe sori awọn apejọ heatsink SCR. Ọkan thermalswitch ṣii ni ipele itaniji (170 °F (76°C)) ati ekeji ni ipele irin ajo (190 °F(87°C)). Awọn iyipada wọnyi ti firanṣẹ si igbimọ EGPA ati pe o le nilo atunṣe sinu afara ti o wa tẹlẹ. Ti boya yiyi ba ṣii, itaniji iwọn otutu kan yoo ti ipilẹṣẹ. Ti awọn iyipada mejeeji ba ṣii, aṣiṣe kan ati irin-ajo kan jẹ ipilẹṣẹ.
