GE IS200EHPAG1DAB GATE PULSE AMPLIFIER

Merk: GE

Nomer Item: IS200EHPAG1DAB

Rega Unit: $ 999

Kondisi: Anyar lan asli

Jaminan Kualitas: 1 Taun

Pembayaran: T / T lan Western Union

Wektu Pangiriman: 2-3 dina

Pelabuhan Pengiriman: China

(Elinga yen rega produk bisa diatur adhedhasar owah-owahan pasar utawa faktor liyane. Rega tartamtu tundhuk penyelesaian.)

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Informasi umum

Pabrikan	GE
Item No	IS200EHPAG1DAB
Nomer artikel	IS200EHPAG1DAB
Seri	Mark VI
asale	Amerika Serikat (AS)
ukuran	18018030(mm)
Bobot	0,8 kg
Nomer Tarif Pabean	85389091
Jinis	Gate Pulse Amplifier

data rinci

GE IS200EHPAG1DAB Gate Pulse Amplifier

IS200EHPAG1DAB minangka bagéan saka Gerbang Pulse Amplifier seri GE EX21000. Papan IS200EHPAG1DAB (kanggo sistem 100mm) antarmuka kontrol menyang Power Bridge. IS200EHPAG1DAB njupuk printah gapura saka Papan ESEL ing controller, lan njedulake pulsa murub gapura kanggo enem SCRs (Silicon ControlledRectifiers). Iku uga antarmuka kanggo umpan balik konduksi saiki, lan bridgeairflow lan ngawasi suhu.

RTD digunakake kanggo ngawasi suhu jembatan lan ngasilake weker. Sensor tambahan sing digerakake dening monitor rotasi kipas pendinginan aliran udara ing jembatan. Ing kontrol anexciter mung retrofit, exciter bisa duwe pranata kanggo nampa saran saka loro ngalih termal dipasang ing rakitan heatsink SCR. Saklar termal siji mbukak ing level weker (170 °F (76°C)) lan liyane ing level trip (190 °F(87°C)). Ngalih iki kabel menyang Papan EGPA lan mbutuhake retrofittinginto jembatan ana. Yen salah siji saklar mbukak, weker overtemperature jembatan digawe. Yen loro ngalih mbukak, fault lan trip kui.